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          SVG 动态无功补偿装置的基本原理就是将自换相桥式电路通过电抗器或变压器并联在电网上，适当的调节桥式电路交流侧输出电压相对系统电压的相位和幅值，迅速吸收或发出满足要求的无功电流，实现快速动态无功补偿的目的。其基于 VSC(Voltage Source Converter, 电压源变流器 ) 的结构实现了无功补偿方式质的飞跃，不需采用大容量的电容、电感器件，而是通过可关断大功率电力电子器件 IGBT 将直流侧电压转换成交流侧与电网同频率的输出电压，实现无功能量的交换，补偿基波无功。





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电容器回收一般都能够当做一个RLC串连实体模型。在某一頻率，会产生串联谐振，这时电容的特性阻抗就相当于其ESR。假如看电容的頻率特性阻抗趋势图，便会发觉一般全是一个V形的曲线图。实际曲线图与电容的物质相关，因此挑选旁通电容还需要考虑到电容的物质，一个较为商业保险的方式 便是多并好多个电容。去耦电容在集成电路开关电源和地中间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁通掉该元器件的高频率噪声。数字电路设计中典型性的去耦电容值是0.1μF。这一电容的遍布电感器的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的遍布电感器，它的并行处理共振频率大概在7MHz上下，换句话说，针对10MHz下列的噪声有不错的去耦实际效果，对40MHz之上的噪声基本上失灵。1μF、10μF的电容，并行处理共振频率在20MHz之上，除去高频率噪声的实际效果好些一些。每10片上下集成电路得加一片蓄电池充电电容，或一个蓄能电容，可选10μF上下。

在容积小于10pF时，可采用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档(±0.5pF)三种精度二、是以X7R为II类物质的高频电容器，其温度系数为±15，电容量相对性平稳，适用各种各样旁通、藕合、滤波电路等，其容积精度关键为K档(±10)。特殊情况下，可给予J档(±5)精度的。 电容量相对性平稳，适用各种各样旁通、藕合、滤波电路等，其容积精度关键为K档(±10)不一样种类的电容器，应用頻率不一样。中小型黑云母电容器在250MHZ之内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆钢管型瓷介电容器为200MHZ;园盘型瓷介可以达到3000MHZ;中小型纸介电容器为80MHZ;中小型纸介电容器仅有8MHZ。三、是以Y9V为II类物质的低頻电容器，其温度系数为： 30～-80，电容量受溫度、工作电压、時间转变很大，一般只适用各种各样滤波电路中。